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MOS場效應管的磷處理是指,對二次氧化生長的二氧化硅進行處理。那么為什么要加這一道工序呢?
MOS場效應管與普通的雙極晶體管相比,它具有許多優點。但是,它也有美中不足之處,例如:早期的MOS場效應管,在使用的時候,特性會發生漂移。研究表明,早期的MOS場效應管的漂移現象是由于二氧化硅絕緣柵里面的鈉離子作怪的結果。MOS場效應管的漏源飽和電流將隨著溝道的變厚而增大,而溝道的厚薄又會受到氧化層中的正電荷數目及其分布的影響。由于鈉離子的移動,就會使溝道的厚薄發生變化,從而使飽和電流發生變化(致使管子發生漂移)。氧化層中的鈉離子可能是氧化過程中引進的,也可能是氧化之后,從疏松的氧化層表面鉆進去的。氧化層經過磷處理之后,就會在氧化層表面形成一層含有五氧化二磷的磷硅玻璃。我們將在第六章中看到,由于磷硅玻璃的存在,MOS場效應管的穩定性將會提高。
磷硅玻璃層中的五氧化二磷的濃度不可太髙,太高了會由于磷硅玻璃層中五氧化二磷的極化作用的影響,反而使器件的性能發生漂移。有人做過實驗,105埃厚含有百分之四的五氧化二磷的磷硅玻璃就足以防止外界l0的12次方/厘米3鈉離子沾污十年??梢?磷處理時,只要形成很薄的含有五氧化二磷的磷硅玻璃就行了。
磷處理的裝置和磷擴散的裝置相同,而且采用的磷源也相同。不同的是,磷處理的時候,爐溫較低,只有860攝氏度左右,時間較短,只需10分鐘(通源5分鐘,吹氮5分鐘)就夠了,而且只用氮氣攜帶而不通氧氣。對二次氧化生長的二氧化硅,不需淸洗便可直接送進石英管進行磷處理。
生產實踐證明:合理的磷處理,確實可以提高MOS場效應管的穩定性。當然,不適當的磷處理,不但會使MOS場效應管的性能變壞,而且還會帶來較大的噪聲和降低直流輸入阻抗。
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